PRODUCTS产品中心
article相关文章
产品中心
  • FS100R12KT3英飞凌IGBT模块* 查看详细介绍

    FS100R12KT3英飞凌IGBT模块*$nIGBT模块是如何进行导通的硅片的结构与功率MOSFET的结构十分相似,主要差异是IGBT了P+基片和一个N+缓冲层。其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和N+区之间创建了一个J1结。当正栅偏压使栅极下面反演P基区时,一个N沟道形成,同时出现一个电子流,并完全按照功率MOSFET的方式产生一股电流。

    更新时间:2021-01-11

    厂商性质:代理商

    产品型号:FP10R12W1T4 FF200R12KT4

  • FF150R12RT4英飞凌IGBT模块原装现货供应 查看详细介绍

    FF150R12RT4英飞凌IGBT模块原装现货供应 IBGT的分类 按有无缓冲区分类 (1)非对称型ICBT有缓冲区N+,为穿通型IGBT;由于N+区存在,所以反向能力弱,但正向压降低,关断时间短,关断时的尾部电流小。 (2)对称型IGBT无缓冲区N+,为非穿通型IGBT;具有正、反向能力,其他特性较非对称型IGBT差。 按沟道类型分类 IBGT按沟道类型分为N沟道IGBT和P沟道IGBT。

    更新时间:2021-01-07

    厂商性质:代理商

    产品型号:FF50R12RT4 F3L100R07W2E3

  • BSM100GB60DLC英飞凌IGBT功率模块 查看详细介绍

    BSM100GB60DLC英飞凌IGBT功率模块$n可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位IGBT管的开通和关断是由栅极电压来控制IGBT管的。当栅极加正电压时,OSFET内形成沟道,并为PNP晶体管提供基极电流,此时高耐压的IGBT管也具有低的通态压降在栅极上加负电压时。

    更新时间:2021-04-15

    厂商性质:代理商

    产品型号:FF150R12KE3G DDB6U100N16

  • F3L100R07W2E3_B11英飞凌IGBT功率模块 查看详细介绍

    F3L100R07W2E3_B11英飞凌IGBT功率模块 IGBT管是绝缘栅双极型晶体管(IsolatedGateBipolarTransistor)的简称,它是80年代初诞生,90年 代迅速发展起来的新型复合电力电子器件IGBT管是由MOSFET场效应晶体管和BJT双极型晶体管复合而成的 ,其输入级为MOSFET,输出级为PNP型大功率三极管,它融和了这两种器件的优。

    更新时间:2021-01-06

    厂商性质:代理商

    产品型号:FF450R12ME4 FF200R12KT4

共 4 条记录,当前 1 / 1 页  首页  上一页  下一页  末页  跳转到第页 
技术支持:化工仪器网   sitemap.xml   管理登陆
©2021 版权所有:北京一祥聚辉科贸有限公司   备案号:京ICP备14032016号-2