PRODUCTS产品中心
article相关文章
产品中心
首页 > 产品中心 > > 富士IGBT > 富士IGBT功率模块

富士IGBT功率模块

描述:富士IGBT功率模块1MBI600VF-120-50现货供应,富士电机开发了IGBT模块作为电动机的可变速驱动装置或不间断电源装置等的电力转换器的开关元件。IGBT是同时具有功率MOSFET的高速开关性能和双极型晶体管的高电压和大电流处理能力的半导体元件。自创业以来已有90余年,在这悠久的历史中,富士电机不断革新能源技术,在产业和社会领域中为世界作出巨大贡献。

更新时间:2021-01-21
产品型号:1MBI600VF-120-50
厂商性质:代理商
详情介绍

富士IGBT功率模块在变频器中的应用:由 于IGBT模块MOSFET结构,IGBT网格通过一层氧化膜和发射器实现电气隔离。由于氧化膜非常薄,其击穿电压一般20 ~ 30 v 。因此引起的静态电网故障的常见原因之一IGBT的失败。因此使用应注意以下几点:使用模块时,不要触摸驱动器终端部分,当触摸模块终端静电对人体或 衣服大电阻接地放电后,再次触摸;与导电材料模块驱动程序终端连接,连接没有连接之前请不要插入模块;地板的条件下尽可能好的接地操作。有时,尽管在应用 程序以确保门驱动电压不超过电网大额定电压,但网格之间的寄生电感和电容耦合连接网格和收藏家,也会产生氧化层损坏的振荡电压。为此,通常由双绞线传输 信号,以减少寄生电感。小电阻串联在电网连接也可以抑制振荡电压。此外,在开放的栅极,如果电极间的电压和收集器和发射,电极电位的变化,由于泄漏电流流 经收集器,更高的栅极电压,电流流经收集器。此时,如果收藏家和发射电极的高电压,它可以使IGBT发烧时损坏。IGBT的使用场合,当栅极电路正常或栅 极电路损坏(网格在开路状态),如果在主电路和电压,IGBT将受损,为了防止此类故障,应该是门和发射极之间串接一个10 kΩ阻力。安装或更换IGBT模块的时候,我们应该高度重视的接触状态IGBT模块与散热器和收紧。为了减少接触热阻,散热器和IGBT模块之间的热 导电硅胶。一般散热器安装在底部的冷却风扇,当散热器冷却的冷却风扇损坏坏热将导致IGBT模块,和失败。定期检查冷却风扇,通常在附近的散热器IGBT 模块配备温度传感器,当温度太高会提醒或停止富士IGBT功率模块的工作。

富士IGBT模块一系列型号现货销售,库存充足:
2MBI1000VXB-170E-54
2MBI1000VXB-170EA-54
2MBI00U4A-120-50
2MBI1400VXB-170E-54
2MBI50U4H-120-50
2MBI650VXA-170E-54
2MBI900VXA-120E-54
2MBI300VAN-120-53
2MBI450VAN-120-53
2MBI600VAN-120-53
2SK2767-01-S25PP
2SK3531-01-S25PP
6MBI80VB-120-50
6MBI80VB-120-55
6MBI50U4A-120-50
6MBI50VA-120-50
6MB75U4A-120-50
6MBI75VA-120-50
 

留言框

  • 产品:

  • 您的单位:

  • 您的姓名:

  • 联系电话:

  • 常用邮箱:

  • 省份:

  • 详细地址:

  • 补充说明:

  • 验证码:

    请输入计算结果(填写阿拉伯数字),如:三加四=7
技术支持:化工仪器网   sitemap.xml   管理登陆
©2021 版权所有:北京一祥聚辉科贸有限公司   备案号:京ICP备14032016号-2