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FF150R12RT4英飞凌IGBT模块原装现货供应

描述:FF150R12RT4英飞凌IGBT模块原装现货供应
IBGT的分类
按有无缓冲区分类
(1)非对称型ICBT有缓冲区N+,为穿通型IGBT;由于N+区存在,所以反向能力弱,但正向压降低,关断时间短,关断时的尾部电流小。
(2)对称型IGBT无缓冲区N+,为非穿通型IGBT;具有正、反向能力,其他特性较非对称型IGBT差。
按沟道类型分类
IBGT按沟道类型分为N沟道IGBT和P沟道IGBT。

更新时间:2021-01-07
产品型号:FF50R12RT4 F3L100R07W2E3
厂商性质:代理商
详情介绍

  FF150R12RT4英飞凌IGBT模块原装现货供应

IBGT的分类

按有无缓冲区分类

(1)非对称型ICBT有缓冲区N+,为穿通型IGBT;由于N+区存在,所以反向能力弱,但正向压降低,关断时间短,关断时的尾部电流小。

(2)对称型IGBT无缓冲区N+,为非穿通型IGBT;具有正、反向能力,其他特性较非对称型IGBT差。

按沟道类型分类

IBGT按沟道类型分为N沟道IGBT和P沟道IGBT。

只是在漏源电压Uds 下降后期, PNP 晶体管由放大,区至饱和,又了一段时间,td(on) 为开通时间, tri 为电流上升时间,实际应用中常给出的漏极电,流开通时间ton 即为td (on) tri 之和,漏源电压的下降时间由tfe和tfe组成, IGBT的触发和关断要求给其栅,极和基极之间加上正向电压和负向电压,栅极电压可由不同的驱动电路产生,当选择这些驱动电路时。必须基于以,下的参数来进行器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况,因为IGBT栅极- 发射极阻抗大。

英飞凌IGBT模块一系列型号现货销售,库存充足,欢迎咨询。

 

IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为新型电力半导体场控自关断器件,集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体,具有输入阻抗高,电压控制功耗低,控制电路简单,耐高压,承受电流大等特性,在各种电力变换中获得极广泛的应用。与此同时,各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可性、低成本技术,主要采用1um以下制作工艺,研制开发取得一些新进展。    

1、低功率IGBT    

 IGBT应用范围一般都在600V、1KA、1KHz以上区域,为满足家电行业的发展需求,摩托罗拉、ST半导体、三菱等公司推出低功率IGBT产品,实用于家电行业的微波炉、洗衣机、电磁灶、电子整流器、照相机等产品的应用。    

2、U-IGBT    

U(沟槽结构)--TGBT是在管芯上刻槽,芯片元胞内部形成沟槽式栅极。采用沟道结构后,可进一步缩小元胞尺寸,减少沟道电阻,提高电流密度,制造相同额定电流而芯片尺寸少的产品。现有多家公司生产各种U—IGBT产品,适用低电压驱动、表面贴装的要求。   

 3、NPT-IGBT   

NPT(非传统型)--IGBT采用薄硅片技术,以离子注入发射区代替高复杂、高成本的厚层高阻外延,可降低生产成本25%左右,耐压越高成本差越大,在性能上更具有特色,高速、低损耗、正温度系数,无锁定效应,在设计600—1200V的IGBT时,NPT—IGBT可*性。西门子公司可提供600V、1200V、1700V系列产品和6500V高压IGBT,并推出低饱和压降DLC型NPT—IGBT,依克赛斯、哈里斯、英特西尔、东芝等公司也相继研制出NPT—IGBT及其模块系列,富士电机、摩托罗拉等在研制之中,NPT型正成为IGBT发展方向。   

4、SDB--IGBT   

鉴于目前厂家对IGBT的开发非常重视,三星、快捷等公司采用SDB(硅片直接键合)技术,在IC生产线上制作第四代高速IGBT及模块系列产品,特点为高速,低饱和压降,低拖尾电流,正温度系数易于并联,在600V和1200V电压范围性能优良,分为UF、RUF两大系统。    

 5、超快速IGBT   

整流器IR公司的研发重点在于减少IGBT的拖尾效应,使其能快速关断,研制的超快速IGBT可大限度地减少拖尾效应,关断时间不超过2000ns,采用特殊高能照射分层技术,关断时间可在100ns以下,拖尾更短,重点产品专为电机控制而设计,现有6种型号,另可用在大功率电源变换器中。   

6、IGBT/FRD  

IR公司在IGBT基础上推出两款结合FRD(快速恢复二极管)的新型器件,IGBT/FRD有效结合,将转换状态的损耗减少20%,采用TO—247外型封装,额定规格为1200V、25、50、75、100A,用于电机驱动和功率转换,以IGBT及FRD为基础的新技术便于器件并联,在多芯片模块中实现更平均的温度,提高整体可*性。   

7、IGBT功率模块

IGBT功率模块采用IC驱动,各种驱动保护电路,高性能IGBT芯片,新型封装技术,从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展,其产品水平为1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于变频调速外,600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB,用于舰艇上发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB,大大降低电路接线电感,提高系统效率,现已开发成功第二代IPEM,其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热点。

 

FF150R12RT4英飞凌IGBT模块原装现货供应

F3L100R07W2E3_B11

F3L150R07W2E3_B11

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